湖南永硕新材料科技有限公司

电子封装与功率半导体（主战场） 陶瓷散热基板：IGBT/SiC MOSFET/GaN 功率模块、新能源汽车电驱逆变器、光伏逆变器、储能 PCS 用 DBC/AMB/DPC 覆铜基板，把芯片结温压下来；导热 170–230 W/(m·K)，是 Al₂O₃ 的 7–10 倍，又绝缘（体积电阻率 10¹⁴–10¹⁶ Ω·cm）。 大规模 IC 与先进封装载板：AI 服务器 GPU/ASIC 散热衬底、CPO 共封装光学载体、3D 封装中介层，CTE≈4.5×10⁻⁶/K 与硅（3.5）接近，热循环不开裂。 LED / 激光二极管热沉：高功率 LED 灯板、UV-LED、VCSEL、LiDAR 激光器底座，兼顾导热和低光吸收。 半导体制造设备部件 静电吸盘（ESC）与真空吸盘：晶圆夹持定位，既要导热均温又要绝缘防击穿，AlN 是 300 mm 产线主流选。 腔体内衬、喷淋盘、承载舟、托盘：耐等离子/卤素腐蚀（优于 Al₂O₃ 和 Si₃N₄ 部分场景），高温不变形、不释气污染晶圆。 热电偶保护管、加热电极绝缘套：扩散/CVD 炉内长期使用。